20 марта
4350
20 марта
4350
Samsung начала массовое производство модулей DRAM LPDDR4X объемом 12 Гб для смартфонов
В феврале Samsung запустила массовое производство микросхем памяти eUFS 3.0 объемом 512 Гб, теперь компания сообщила о старте производства модулей DRAM объемом 12 Гб для использования в смартфонах. Они основаны на стандарте LPDDR4X и выполнены по техпроцессу 10 нм.
Новый модуль состоит из шести 16-гигабитных чипов, объединенных в единый модуль. Его толщина составляет всего 1,1 мм.
Скорость передачи данных составляет 34,1 Гб / с, при этом сохраняется низкое энергопотребление за счет увеличения емкости DRAM.
Ожидается, что память DRAM PDDR4X объемом 12 Гб появится уже в следующих флагманских моделях линейки Galaxy S. Вероятно, новым чипом могут оснастить Samsung Galaxy S10 5G.
0
0